태양 광 발전

태양 광 발전

태양 광 발전은 열처리에 의해 광 에너지를 전기로 직접 변환 할 필요가없는 발전 방법을 말한다. 그것은 태양 광 발전, 광화학 발전, 광전자 유도 및 태양 광 발전을 포함합니다. 태양 광 발전은 태양 복사 에너지를 효과적으로 흡수하고 직접 발전 모드로 만드는 태양 광 반도체 전자 장치의 사용으로 태양 광 발전의 주류입니다. 전기 화학적 광전지, 광전지 및 광촉매 전지의 광화학 발전은 현재 광전지의 실제 응용 분야이다. [1]

태양 광 발전 시스템은 주로 태양 전지, 배터리, 컨트롤러 및 인버터로 구성되며, 태양 전지가 태양 광 발전 시스템의 핵심 부품이며, 태양 전지 패널의 품질과 비용이 전체의 품질과 비용을 직접 결정합니다 체계. 태양 전지는 크게 비정질 실리콘 태양 전지, 구리 인듐 갈륨 셀레늄 태양 전지 및 카드뮴 텔루 라이드 태양 전지를 포함하는 단결정 실리콘 전지, 폴리 실리콘 전지 2 개를 포함하여 결정질 실리콘 전지와 박막 전지의 두 가지 유형으로 나뉩니다.

단결정 실리콘 태양 전지 광전 변환 효율은 약 15 %, 최고 23 %, 태양 전지 광전 변환 효율은 최고이지만 제조 원가는 높습니다. 단결정 실리콘 태양 전지의 수명은 일반적으로 최대 15 년, 최대 25 년입니다. 다결정 실리콘 태양 전지의 광전 변환 효율은 14 ~ 16 %로 단결정 실리콘 태양 전지보다 낮기 때문에 많은 개발이 이루어 지지만 단결정 실리콘 태양 전지보다 폴리 실리콘 태양 전지의 수명이 짧습니다.

박막 태양 전지는 실리콘, 황화 카드뮴, 갈륨 아세 나이드 및 기타 박막을 태양 전지의 기본 재료로 사용합니다. 박막 태양 전지는 운반 및 설치가 용이 한 1 마이크론 미만의 박막 두께를 만들기 위해 경량의 저비용 기본 재료 (예 : 유리, 플라스틱, 세라믹 등)로 만들 수 있습니다. 그러나 이종 기판에 증착 된 박막은 결함이 생기기 때문에 기존의 카드뮴 텔루 라이드와 구리 인듐 갈륨 셀레늄 태양 전지는 12 % ~ 14 %의 생산 효율 전환율과 최대 29 %의 이론상 한계가있다. 생산 공정으로 카드뮴 텔루 라이드 결함을 줄일 수 있다면 배터리 수명이 증가하고 변환 효율이 향상됩니다. 이를 위해서는 결함의 원인을 조사하고 결함을 줄이고 품질을 제어하는 ​​방법이 필요합니다. 태양 전지 인터페이스 또한 매우 중요하며 많은 연구 개발 투자가 필요합니다.